一年半前，三星发布了第一款消费级QLC闪存SSD 860 QVO，现在第二款是870 QVO。

虽然很多人对QLC闪存非常抵触，就像之前的TLC一样，这是不可逆转的趋势，只能慢慢接受。当然，厂商在产品上也会有相应的取舍。例如，QLC闪存在初期不会用于高性能的NVMe SSD，而是会专注于主流的大容量。三星870 QVO是SATA SSD，首次实现了8TB。

80QVO的诚意还是满满的。例如，V-NAND闪存从第64层升级到第92层，单个Die的容量为1Tb。只有8个芯片才能组成一个1TB闪存芯片。同时，主控制器也从MJX升级到MKX。不过，目前还没有宣布任何技术更新或固件更改，据信这只是一个小更新。

左右两侧分别是4TB和1TB电路板的正面和背面。很明显，1TB和2TB只需要一个闪存芯片和两个闪存芯片，再加上一个主控制器和一个缓存，所以PCB非常短小精悍，给1TB留下了一个空焊点。4TB前后各有两个闪存芯片，增加了四个空焊盘，也就是8TB。

即使4TB和8TB的电路板放在标准的2.5英寸托盘中也非常小。

这是三星MKX主控和LPDDR4缓存。

70QVO系列详细规格，1/2/4/8TB型号分别配备1/2/4/8GB LPDDR4缓存，同时还设置了SLC缓存提升性能，2/4/8TB型号为78GB，1TB型号仅为42GB。

写的时候，一旦SLC缓存容量用完，就会回到QLC的本质，性能自然会大打折扣，尤其是1TB的下降。

官方数据显示，870 QVO系列的连续读取速度为560MB/s，在SLC缓存中的连续写入速度为530 MB/s，而在QLC闪存中，2/4/8TB型号的连续写入速度将降低到160MB/s，1TB的连续写入速度仅为80 MB/s

在随机性能方面，1TB读取不受影响，但写入损失相对较大，尤其是QD32队列深度较深时，随机读写会分别降低40%和48%。

相反，使用寿命是一致的，每天满写0.33次，有5年质保，最大写360TB、720TB、1440TB、2880TB，而消费级QLC SSD平均每天只有0.1-0.15次写，即使有5年质保，写的也不如870 QVO。

AnandTech已经对870 QVO进行了详细的测试，其他都没有意外。这里，只看缓存内外的写入情况。

QD32的队列深度、128KB的数据块以及缓存中的连续写入速度都可以达到标称的530 MB/s，但缓存耗尽后，速度瞬间下降，约1TB 80MB/s，约4TB 164MB/s，也完美满足标称值。

好消息是，缓存耗尽后，写入速度非常稳定，直到完全填满。