2021-07-19 01:39

科技动态:SK海力士开始量产16 GB HBM2E DRAM芯片

导读在这个正是日新月异的时代,飞黄腾达的时代,人类的科技、生活已经在近几年快速的进入快车道,在这年头有台电脑、手机已不是稀奇的事,因为

在这个正是日新月异的时代,飞黄腾达的时代,人类的科技、生活已经在近几年快速的进入快车道,在这年头有台电脑、手机已不是稀奇的事,因为几乎每家每户都会有电脑,电脑仿佛将我们彼此链接在一起,下面分析一片关于电脑与手机各种新型科技产品的文章供大家阅读。

HBM2E内存芯片可提供高达460 GB / s的带宽,此外,与HBM2型号相比,它们的能效提高了50%,封装减小了30%。借助这种改进的带宽,HBM2E芯片有望显着提高Exascale计算机和高端GPU的性能。

HBM2E高速DRAM标准于2019年宣布作为GDDR6的竞争对手,目前正在韩国SK Hynix的工厂开始全面批量生产。由于其传输速度的提高,HBM2E有望与专注于深度学习和HPC解决方案的下一代AI系统集成,其中还包括Nvidia和AMD的面向计算的GPU。我们甚至可能会看到这种新型的内存集成在高端游戏GPU中。

与提供72 GB / s的理论带宽的GDDR6相比,HBM2E标准提供460 GB / s的速度,每秒可进行1024次输入/输出操作。内存密度也得到了改善,由于使用了硅通孔技术,每个内存芯片可提供16 GB的容量(是以前的HBM2的两倍以上),从而将功耗降低了50%,并将封装尺寸减小了30%。 。

HBM2E专为繁重的计算负载而设计,将成为Exascale超级计算机的绝佳补充,可帮助研究气候变化模式,生物工程方法和太空探索工作。游戏GPU中的产品还可以为下一代发烧级的Ampere和RDNA2型号提供显着的性能提升。