典型的三星时尚中，Note 7 带有两个不同的处理程序包，这意味着用户再次想知道自己是否从这两个中获得“最佳”旗舰。我们也想找出这两个变体如何叠加。Exynos和Snapdragon芯片组已经在三星旗舰产品中竞争了几年，在那段时间里，我们看到它们来回交易戳刺，考虑到整体因素，Snapdragon战斗机通常会比三星自己的战斗力强。2015年，我们看到三星成功运行了Exynos专用旗舰产品，其中7420 胜过了经常出现的悲剧性Snapdragon810。今年，三星选择推出自己的核心设计，即M1而不是以往的ARM设置。同时，在810试验了ARM内核之后，高通又回到了“真正的人使用定制内核”的时代。 新Kryo设计的各种方式。最重要的是，Adreno 530不断突破移动图形性能的极限，现在面向Exynos的Mali-T880 MP12(12核变体)。

为了确定它们的相对地位，我们对这两个处理器进行了测试，分别是SM-N930FD的Exynos 8890和N930T的Snapdragon 820。经过来自各种基准测试和耐久性测试的300多个数据点，我们相信我们已经对这些设备有了一定的了解。在本文中，由于我们没有机会针对Exynos 8890进行这种测试，因此我们将稍微关注Exynos变体，但是我们已经在Snapdragon 820设备(包括 Galaxy)上进行了大量性能分析功能S7 Edge 。

我们还想强调以下几点：这些测试不能代表实际使用情况，而是代表处理器在压力下的优势和行为。为了最大程度地减少软件差异，我们禁用了几乎所有非重要的程序包和流程，以便在恢复出厂设置后，这两种变体的结果都不会受到第三方服务或过时软件的影响。我们尝试通过在几乎相同的起始条件下运行所有​​测试来控制的其他变量是温度(相同的起始温度)，室温和表面吸热。我们使用带有红外测温仪支持的SEEK和FLIR热像仪来测量设备表面温度，因此考虑到温度可能会有±1°C的误差范围。最后，请记住，SKU组之间和内部存在差异，并且我们在一组特定条件下运行了这些测试，这意味着您在特定单元上可能会获得与我们不同的结果。这不是万能的考验，

CPU — Kryo与M1

我们研究的第一件事是CPU性能。考虑到两个变体之间相同的存储和RAM配置，甚至更全面的测试和更清晰的故障都可以完成此任务。但是，我们选择新发布的Geekbench 4的原因是其与SPEC相比的准确性，因此具有出色的接收效果，而且还因为我们在访谈中了解到，它可以更好地表示真实的CPU行为。与Primate Labs首席执行官John Poole合作。下面我们列出了五台Geekbench 4在相同的启动条件下并在禁用了软件奇偶校验包的情况下在两种设备上运行后的平均分数和中位数。正如您所看到的，它们在单核分数和多核分数中都更接近，在那儿，核的绝对数量(功能强大和高能效的核心数量的两倍)开始显示。

还值得注意的是，Geekbench 4显着重新定义了两个设备的峰值得分(与Geekbench 3相比)，但该基准测试最不适合Snapdragon820。这并不意味着它不准确-相反，Snapdragon 820的性能是排在Geekbench 3之下的最高水平(尽管在多核性能方面仍不足以超过Exynos 8890)。这是由于Geekbench 4进行了一些修改，例如更精确，更相关的算法，以及(显着)更长的运行时长(通过暂停来抵消节流的颠簸)。在Geekbench 4中，两次测试之间的呼吸空间意味着那些在队列末尾的人不会仅仅因为倒数而受到惩罚(等于)。话虽如此，我们仍然在Geekbench 3中发现了价值，因为它很短，

如上所示，在多核测试中，Exynos的最终分数下降幅度最大，但与初始分数相比，下降幅度并不太大。在我们的几次测试中，Exynos最终得分降幅最高的是多核，为5.92%，而单核仅为3%。在Snapdragon 820上，情况恰恰相反：单核心最终得分下降的最高百分比是6.1%，而多核心最终得分下降的最高百分比是3.47%。但是，平均而言，这两种设备的性能都非常好，并且在CPU密集型Geekbench 3上的节流几乎是最小的，没有明显的向下线性回归。总而言之，在使用Geekbench 3推动CPU时，我们没有发现明显的节流现象，当然不像Nexus 6P这样的设备上发现的那样，OnePlus 2及其它存在明显的节流问题。在独立测试中运行基准测试时，我们发现了类似的变化，因此，分数随时间的微小变化可能是测试固有的变化的原因，而与连续的测试次数或温度无关。

但是，我们确实发现了这两个温度变化之间的巨大差异。Snapdragon 820型号在Geekbench 3期间升温更快，最高达到37.4°C | 99.3°F，而我们在多个运行10次的样品后发现的Exynos型号的最高温度为35°C | 95°华氏度。平均而言，Exynos达到30.8°C | 在第二个测试中为87.4°F(标准偏差0.058)，而金鱼草将在32.8°C | 91°F和35.2°C | 运行期间在同一点达到95.4°F(高于我们在Exynos上看到的最高温度)。有趣的是，Exynos的最终温度检查始终在Geekbench 3的第10次运行中最高，而Snapdragon 820并非总是如此。即使考虑到这些温度差异，这两种设备的性能也不会下降，到HTC的10)。

最后一点值得注意的是Exynos变体，即使在冰箱中运行并在人为地低温下运行时，我们也无法在Geekbench 4上获得比29°时的常规平均值高得多的单芯分数(〜1880)。 C | 82.2°华氏度。但是，多核得分最高达到5625，在29°C时，最接近多核得分| 我们发现82.2°F是5535(对于这个单位来说，是一个离群值，但不一定是您的单位：我还看到有报告说用户在进行Geekbench 4随机测试时得分高达5500，没有任何特殊控制)。

最后，我对所有库存应用和流程进行了相同的测试(在29°C | 82.2°F下进行了5次测试)，发现该平均值与所有禁用流程的平均值之间的差异仅为26(可忽略不计)，这表明软件是过时的无论如何，它对Geekbench的影响不大(不过，这并不意味着bloatware不会影响现实世界的性能)。此外，我们的Snapdragon S7 Edge在Geekbench 4上的分数平均比Snapdragon Note 7的分数高出许多。

GPU — Mali-T880 MP12与Adreno 530

在图形性能方面，我们看到了截然不同的GPU方法。尽管Exynos 8890可能具有三星的自定义M1内核，但此处找到的GPU是ARM的Mali-T880 MP12，这是高端芯片组中的12核版本。骁龙820拥有著名的Adreno 530，我们在多个实例中对其进行了研究，发现它们的性能都不错，尽管根据其实现的手机不同而有很大差异。我们看到的最好的是OnePlus 3，即使将两者的分辨率调整为1080p ，其表现也比S7 Edge和HTC 10更好。我们知道，Adreno GPU王朝已经在旗舰图形性能中占据了主导地位，并且在Note 7中，峰值性能达到了我们的预期。

在3DMark的Slingshot ES 3.1测试中，Adreno 530经常超过2500标志，我们还习惯于在这两种设备上节流。在本次测试中，我们的Exynos变体的最高得分比我们在Snapdragon 820 Note 7上获得的得分低约15%，考虑到高通在这方面的出色表现，这是可以预期的，并且传统上Adreno轻松击败了Mali GPU。 Exynos设备。但是，纵观峰值并获得持续的性能，我们发现两个GPU在重压下的表现都大相径庭。

3DMark包括物理测试和图形密集测试，但它仍然是面向图形的测试，可以使我们很好地了解例如重型图形游戏的性能。在我们的测试中，我们发现即使在高温下，Adreno 530在保持性能方面也做得更好，在5次测试后，其最低最终得分下降比开始得分低约18%。另一方面，Exynos在第5次测试中损失了其第一分的27%，这是一个糟糕的前景。话虽如此，Adreno 530经常在2000到2500的范围内跳跃，这是我们在多次测试中发现的一种模式。

还有一个更令人惊讶的模式，以及为什么您看到6个测试而不是Exynos变体的5个测试的原因，是最严重的分数下降总是出现在第4个和第5个测试之间，但是当运行第6个测试时，温度不会t更低但分数会恢复。急剧下降和恢复也将在相似的范围内发生，我们还将在下面将记录的不同测试中发现这种情况。在这些测试之间，温度变化不大，但是在我们运行的Snapdragon 820型号中，第五次测试的最高温度为43.2°C | 109.8°F和42.5°C | Exynos型号的温度为108.5°F(最后一次测试的温度变化也较小)。

GFXBench的Manhattan耐力测试运行了Manhattan 3.1的测试的30个连续迭代，该测试是常见且有效的图形基准，得分以帧或每秒帧为单位。我们再次在相同的初始条件下在两个设备上多次运行了此测试，令人惊讶的是，我们发现这次的峰值得分差值要低得多，如下图所示几乎可以忽略不计。不过，我们再一次看到这两种设备都显示出非常清晰的节流模式，Exynos Note 7通常在第17次迭代中看到最急剧的下降，到第20次迭代下降了超过初始帧速率的60%，但不久后又反弹了。每次都发生这种情况，而且奇怪的是，无论分辨率如何，以1080p进行测试都会产生相同的结果。Snapdragon变体并没有好多了，因为它在同一时间点流失了一半的帧速率，因此重复了20次(大约20分钟)。它的恢复能力也比Exynos变体差，从620帧上升到大约550帧。