什么是TFT？

在智能手机飞速发展的今天，相信很多网友对TFT这个词已经很熟悉了，在手机参数中或多或少都见过。TFT被称为薄膜晶体管，是指液晶显示器上的每一个液晶像素都由集成在其后面的薄膜晶体管驱动，从而可以高速、高亮度、高对比度地显示屏幕信息。TFT属于有源矩阵液晶显示器，而TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)是大多数液晶显示器之一。

在TFT液晶背面设置一个特殊的光导管，可以“主动”控制屏幕上的每个独立像素，这就是所谓TFT(active matrix ft)的由来，可以大大提高反应时间。一般TFT的反应时间比较快，80ms左右，而STN的反应时间是200 ms，如果提高会出现闪烁。而且，由于TFT是有源矩阵LCD，可以使液晶的排列具有记忆性，不会在电流消失后立即恢复原状。

TFT显示屏采用“背透”照明方式——。假想的光源路径不是像TN液晶那样从上到下，而是从下到上。这样，在液晶的背面有一个特殊的光导管，当光源点亮时，它向上穿过下偏振片。由于上下夹层的电极改为FET电极和公共电极，当FET电极导通时，液晶分子的性能也会发生变化，通过遮光透光就可以实现显示，响应时间大大提高到80 ms左右，由于其比TN-LCD对比度更高、色彩更丰富，屏幕更新频率更快，因此TFT俗称“真彩”。

与DSTN相比，薄膜晶体管液晶显示器的主要特点是每个像素配备一个半导体开关器件。因为每个像素都可以通过点脉冲直接控制。因此，每个节点相对独立，可以连续控制。这种设计方法不仅提高了显示屏的响应速度，而且可以精确控制显示灰度，这就是为什么TFT颜色比DSTN更逼真的原因。

TFT还改善了STN的闪烁(波纹)模糊现象，有效提高了动态画面的播放能力。与STN相比，TFT具有出色的色彩饱和度、再现性和更高的对比度，但缺点是功耗更大、成本更高。

薄膜晶体管技术特性

薄膜晶体管技术发展于20世纪90年代。采用新材料和新工艺的大规模半导体集成电路制造技术是液晶(LC)、无机和有机薄膜电致发光(EL和OEL)平板显示器的基础。薄膜晶体管是通过溅射和化学沉积在玻璃或塑料衬底等非单晶片(当然也可以在晶片上)上形成制造电路所需的各种薄膜，并通过加工这些薄膜来制造大规模半导体集成电路(LSIC)。使用非单晶衬底可以大大降低成本，是传统大规模集成电路向大面积、多功能、低成本的延伸。在大面积玻璃或塑料基板上制造TFT来控制像素(LC或有机发光二极管)的开关性能比在硅片上制造大规模ic更困难。对生产环境(净化度100)、原料纯度(电子专用气体纯度99.999985%)、生产设备和生产工艺的要求都超过了半导体大规模集成，是现代大规模生产的顶尖技术。其主要特点是：

大面积

上世纪90年代初，第一代大面积玻璃基板(300mm400mm)TFT-LCD生产线投产。到2000年上半年，玻璃基板面积已扩大到680毫米880毫米，950毫米1200毫米玻璃基板将于近期投入使用。原则上没有面积限制。

高度集成

用于液晶投影的1.3英寸TFT芯片的分辨率是包含数百万像素的XGA。分辨率为SXGA(12801024)的16.1英寸TFT阵列非晶硅薄膜厚度仅为50纳米，IC的集成度、设备和供应技术的要求以及TAB ON GLASS和SYSTEM ON GLASS技术的技术难度均高于传统LSI。

强大的

TFT最初被用作矩阵寻址电路，以改善液晶的光阀特性。对于高分辨率显示，通过调节0-6V范围内的电压(其典型值为0.2-4V)来实现对对象元素的精确控制，这使得液晶显示器实现高质量和高分辨率显示成为可能。TFT-LCD是人类历史上第一个在显示质量上超越CRT的平板显示器。现在人们开始将驱动IC集成在玻璃基板上，整个TFT的功能将更加强大，这是传统大规模半导体集成电路无法比拟的。

低成本

玻璃和塑料基板从根本上解决了大规模半导体集成电路的成本问题，为大规模半导体集成电路的应用开辟了广阔的应用空间。

灵活的流程

除了溅射、CVD(化学气相沉积)、MCVD(分子化学气相沉积)等传统工艺外，激光退火技术也开始应用，可以制备非晶薄膜、多晶薄膜和单晶薄膜。不仅可以制作硅膜，还可以制作其他-族和-族半导体膜。

广泛的应用

基于TFT技术的液晶平板显示器是信息社会的支柱产业，该技术也可以应用于快速增长的TFT-有机发光二极管平板显示器。

编者按：什么是TFT？TFT是目前中高端彩色手机常用的屏幕，分为65536色、26万色、1600万色。它的显示效果非常好。IPS的外观虽然在整体显示性能上比TFT好一层，但其输出和技术难度相对比TFT更难实现。这取决于个人需要选择哪个屏幕。但是，我认为TFT作为大多数厂商选择的屏幕，在市场上还是有很大优势的。如果你不是最终用户，考虑TFT屏幕的手机也是不错的选择。