DDR3是计算机内存规范。它属于SDRAM系列内存产品，提供比DDR2 SDRAM更高的工作效率和更低的电压。

DDR3技术介绍。

为了省电和提高传输效率，DDR3 SDRAM采用了SSTL 15的I/O接口，工作I/O电压为1.5V V，采用CSP和FBGA封装。除了DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS和AL控制方法外，它还增加了更复杂的CWD、Reset、ZQ、SRT和RASR功能。

DDR3内存的技术改进。

逻辑库数量：DDR2 SDRAM有4库8库，目的是满足未来大容量芯片的需求。而且DDR3可能会从2Gb容量开始，所以一开始有8个逻辑库，未来有16个逻辑库。

封装：DDR3有一些新的功能，所以它的引脚会增加。8位芯片封装在78球的FBGA，16位芯片封装在96球的FBGA，DDR2封装在60/68/84球的FBGA。

突发长度：因为DDR3的预取是8个8位，所以突发长度(BL)也固定为8，BL=4也常用于DDR2和早期的DDR架构系统。因此，DDR3增加了4位突发斩波模式，即BL=8由BL=4的读操作和BL=4的写操作合成。

寻址时序：DDR3的延迟在5到11之间，AddIt delay(al)的设计也发生了变化。

降低功耗：DDR3在实现高带宽的同时，反而可以降低功耗，核心工作电压从1.8V降低到1.5V的DDR2。相关数据预测，与目前的DDR2相比，DDR3将节省30%的功耗。