三星已开始大规模生产250 GB的SATA固态驱动器，该驱动器集成了该公司的第六代(1XX层)256千兆位(GB)三位V-NAND，供全球PC原始设备制造商使用。

这家韩国科技巨头的新V-NAND利用了该公司独特的“孔洞蚀刻”技术，为之前的9x层单层叠加结构增加了约40%的电池。这是通过构造由136层组成的导电模组，然后从顶部到底部垂直制作圆柱形孔来实现的，从而产生均匀的三维电荷陷阱闪光灯(CTF)单元。

高模组通常使NAND芯片更容易出错和读取延迟，但三星已经建立了一个速度优化电路设计，以避免这一限制。数据传输速度现在“写操作低于450微秒(μs)，读不到45微秒(μs)”，与上一代相比，速度快了10%以上，而耗电量却减少了15%以上。