不久前，网络上还传出三星Galaxy S21 FE被迫推迟发布的谣言，延迟发布归咎于臭名昭著的芯片短缺。因此，旗舰的首映而不是 8 月，推迟到 10 月，10 月 7 日是可能的发布日期。但处理器不足的问题不会完全解决，因此Galaxy S21 FE将在有限数量的国家/地区上市。即使是韩国也会被抛在销售地区之后。

为了以某种方式弥补 SoC 的短缺，该公司将再次回归其最喜欢和惯用的方案，当它发布两个版本的旗舰产品时，使用高通和 SoC Exynos 的芯片。那些。在，Galaxy S21 FE 将配备骁龙 888，而欧洲将配备 Exynos 版本。最有可能的是，将安装专有的 Exynos 2100 芯片组。

日前，Galaxy S21 FE通过了FCC的注册程序;这也让我们了解到新产品将支持45W快充;但充电适配器不包含在包装中，必须购买。

智能手机应配备 4500 mAh 电池，高达 8 GB 的 RAM;高达 256 GB 的内存和具有 120 Hz 刷新率的 FullHD + AMOLED 显示屏。

三星最初依赖于完全被栅极包围的晶体管通道(GAAFET);3纳米技术标准的制定;同时承诺将该技术投入量产的速度几乎快于其主要竞争对手台积电。现在知情人士透露，三星3nm系列产品的出现要等到2024年。

2019年初，据SemiAnalysis;三星电子希望在 3GAE 品种中实施 3 纳米工艺技术;2020年底前试生产阶段;并在 2021 年底前转向批量生产。与7nm技术相比，计划将晶体管的开关速度提高35%;降低50%的功耗;并且晶体管的密度增加了45%。目前，这些目标已被下调。例如，速度增益已降低至 10%;密度增加减少到25%;在能源消耗方面，进步已经恶化到 20%。